日前，美国新思（Synopsys）宣布推出业界首个完整的 HBM3 IP内存芯片设计方案。这项技术是 HBM2e 的升级版，可以满足高性能计算设备、计算加速卡等产品的高带宽需求。HBM 内存采用多层芯片封装的工艺，通常封装在 GPU 芯片旁，相比传统显存芯片速率大幅提升，HBM3 可以实现高达 921GB/s 的内存带宽。
新思科技是目前全球排名第一的电子设计自动化 （EDA） 解决方案提供商及芯片接口IP供应商，主要提供芯片设计软件和解决方案等。本次发布的 HBM3 解决方案，包括验证 IP、用于 ZeBu 仿真的 HBM3 模型以及 HAPS 原型设计方案等，可以加速相关产品的设计开发流程。
新思科技的 DesignWare HBM3 控制器 IP 还支持多种灵活的配置，包括纠错码、刷新管理、奇偶校验等高级 RAS 功能，可以最大化减少内库存延迟，优化数据完整性。具体来看，方案中的 HBM3 芯片利用特制的微凸点阵列与中间通讯层连接，中间层采用内走线设计，具有更大的灵活性，有助于缩小长度。
DesignWare HBM3 PHY IP 采用 5nm 制造工艺，同时每个引脚的通讯速度高达 7200Mbps。芯片的电源效率相比前代产品也有提升，并支持多达 4 种功耗状态。官方表示，Synopsys 公司将继续满足数据密集型 SoC 的设计和验证要求，为 HBM3、DDR5、LPDDR5 内存提供高质量的解决方案。
美光、三星电子以及 SK 海力士等该公司均表示，将继续与新思科技进行合作，致力于开发下一代 HBM3 内存，以满足日益增长的 AI、图形运算需求。
